中共官媒最近高調宣稱已突破 8 奈米的晶片製程，卻慘遭自家科技媒體《芯智訊》糾正說晶片的精度其實只有 65 奈米，其水準僅相當於荷蘭ASML公司 18 年前推出的XT:1450 的機型，技術落後竟高達18年，這個打臉不可謂不重。

《芯智訊》指出，有人一看到中國國產光刻機「套刻 ≤8nm」就認為這是 8nm，高興宣傳「可生產 8 奈米晶片」，突破美國封鎖，其實是錯誤的。

中國工信部於 9 月初公佈「首台（套）重大技術裝備推廣應用指導目錄」，列出全新自製 DUV 光刻機，解析度為 ≤65nm，「套刻精度」 ≤8nm。

《芯智訊》解釋説，氟化氪光刻機其實就是老式的 248nm 光源的 KrF 光刻機，解析度為 ≤110nm，套刻精度 ≤25nm；披露的這款是乾式 DUV 光刻機，而非更先進的浸沒式 DUV 光刻機（也被稱為 ArFi 光刻機）。

由中國工信部的參數顯示，此DUV 光刻機解析度為 ≤65nm，套刻精度 ≤8nm，仍並未達到可以生產 28 奈米晶片的程度。

《芯智訊》批，不要把「套刻精度」跟「光刻製造製程節點」水準搞混了。「光刻精度」是光刻機的解析度，65nm 的解析度單次曝光能夠達到的工藝製程節點大概就在 65nm 左右。「套刻精度」則指的是每一層光刻層之間的對準精度。

《芯智訊》指出，這個 65nm 的光刻解析度、「套刻精度」 ≤8nm，最多衹能夠做到 55nm 製程。